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为实现更高储存密度,NAND Flash的堆栈层数不断增加,单一晶胞内能储存的信息也越来越多。目前3D NAND 堆栈发展至 96 层,这是接下来一段时间内的市场主流。

2018 年底,SK Hynix(SK海力士)发表 96 层堆栈快闪存储器,是为 TLC 类型、单一裸晶容量 512Gb(64GB)产品,还特地取了个有意思的 4D NAND 名词(本质和 3D NAND 相仿)。SK Hynix 当时曾预告,在 2019 年也就是今年的某个时间点,自家 96 层堆栈产品技术发展将进入另一个阶段,容量会倍增至 1Tb(128GB)。

SK Hynix 刚实现了这点,官方宣布 96 层、1Tb 样品已经备妥,正½续出货提供给予主要的控制器、固态硬盘制造商。不过首波 1Tb 样品属于 QLC 类型,基于 4D NAND 架构设计具有 4 个平面(Plane)、区块容量 64KB,这数量规划 2 倍于典型快闪存储器(2 plane、32KB 之类规格),SK Hynix 强调这是确保性能的关键。

此外,SK Hynix 自己也投入 QLC 所适用控制器与韧体等开发,计划在 2020 年推出自有品牌企业级固态硬盘。SK Hynix 将致力于提升储存密度,除了以追上硬盘 16TB 之类容量作为目标,更希望能够吸引企业舍硬盘就固态硬盘。

采用96层QLC颗粒的第一批终端应用产品应该不会是固态硬盘,而是USB随身碟这类对可靠度要求较低的应用。

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